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一种MPCVD系统 

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申请/专利权人:成都沃特塞恩电子技术有限公司

摘要:本发明提供了一种MPCVD系统,属于等离子体化学气相沉积技术领域,上述系统包括机架、微波源、波导管、腔体及样品台组件,上述腔体为竖直设置的圆筒状结构,其第一端与机架连接,第二端与波导管连接,波导管水平设置。样品台组件设置在腔体内,其下端与机架固定连接,上端位于腔体内腔中部偏下位置,样品台组件上端用于放置样品基片。实验表明,上述改进后的沉积设备,其等离子体球更加扁平,即样品基片附近的电场更强,从而提高了沉积效率。

主权项:1.一种MPCVD系统,其特征在于,包括机架、微波源、波导管、腔体及样品台组件;所述腔体的第一端与所述机架连接,第二端设置有石英板,所述石英板上设置有第一放电环;所述样品台组件设置在所述腔体内,并与所述机架连接,所述样品台组件上设置有第二放电环;所述第一放电环与所述第二放电环之间的距离为D,0.5λ≤D≤λ,λ为微波波长;所述第一放电环的外径为ø3,所述第二放电环的外径为ø4,ø3≤ø4;所述样品台组件包括钼块及托板,所述钼块设置在所述托板的中部,所述钼块为圆形板状,所述第二放电环套设在所述钼块上;所述第一放电环的内径为φ1,所述钼块的直径为φ2,φ1≥φ2。

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权利要求:

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