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申请/专利权人：青岛天仁微纳科技有限责任公司

摘要：本发明公开了一种纳米压印晶圆生产的表面温度检测方法，属于温度检测技术领域，包括以下步骤：S1、采集晶圆的温度集，确定各个历史时刻的温度限制模型，并利用各个历史时刻的温度限制模型为晶圆生成温度交换函数；S2、利用温度交换函数生成控制温度矩阵；S3、基于控制温度矩阵，检测晶圆生产是否合格。本发明可用于指导晶圆的生产进程，减少温度对晶圆生成质量的影响。

主权项：1.一种纳米压印晶圆生产的表面温度检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采集晶圆的温度集，确定各个历史时刻的温度限制模型，并利用各个历史时刻的温度限制模型为晶圆生成温度交换函数；S2、利用温度交换函数生成控制温度矩阵；S3、基于控制温度矩阵，检测晶圆生产是否合格；所述S1包括以下子步骤：S11、采集晶圆表面在各个历史时刻的实时温度，作为温度集；S12、采集晶圆表面所处环境在各个历史时刻的环境温度；S13、根据温度集以及各个历史时刻的环境温度，生成各个历史时刻的温度限制模型；S14、根据所有历史时刻的温度限制模型，为晶圆生成温度交换函数；所述S13中，x时刻的温度限制模型Lx的表达式为：；式中，ux为晶圆表面在x时刻的实时温度，vx为x时刻的环境温度，max·为最大值函数；所述S14中，温度交换函数G的表达式为：，；式中，r为晶圆材料的热传导率，Zx为x时刻的温度限制矩阵，Lx为x时刻的温度限制模型，X为总时刻；所述S2包括以下子步骤：S21、将温度交换函数值的倒数作为温度集的温度控制因子，生成控制温度集；S22、根据控制温度集，生成控制温度矩阵；所述S21中，控制温度集中x时刻晶圆表面的控制温度Kx的计算公式为：；式中，ux为晶圆表面在x时刻的实时温度，为温度集的温度控制因子，ln·为对数函数；所述S22中，生成控制温度矩阵的方法为：将总时刻作为控制温度矩阵的行数和列数，将每个历史时刻的控制温度填入控制温度矩阵的对角线，其余位置用0填充；所述S3包括以下子步骤：S31、将控制温度矩阵划分为若干个分块矩阵；S32、提取各个分块矩阵的最大奇异值，生成特征向量；S33、根据特征向量，确定温度检测因子；S34、将温度检测因子与温度集中最大实时温度值的均值作为预测温度；S35、在预测温度超过晶圆的最佳工作温度时，确定晶圆生产不合格；所述S33中，温度检测因子η的计算公式为：；式中，Y为特征向量，为对特征向量进行F2范数运算。

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