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申请/专利权人：无锡华阳科技有限公司
摘要：本实用新型涉及电控制技术领域，具体是一种使用双可控硅的漏电检测保护装置，包括顺序连接的电源电路、降压整流电路、漏电检测电路和双可控硅开关电路，还包括漏电感应电路，所述漏电感应电路与所述电源电路、所述降压整流电路以及所述漏电检测电路连接；所述电源电路包括相线L和零线N，分别与所述降压整流电路连接；所述双可控硅开关电路与脱扣器连接，当所述可控硅开关电路导通时，所述脱扣器对地导通与所述可控硅开关电路形成回路。本装置结构简单，采用双可控硅进行双重触发设计，能有效解决了可控硅误触发导致产品跳闸失效的情况，增加了产品的稳定性和可靠性，并进一步提高产品的使用安全性。
主权项：1.一种使用双可控硅的漏电检测保护装置，其特征在于,包括顺序连接的电源电路、降压整流电路、漏电检测电路和双可控硅开关电路，还包括漏电感应电路，所述漏电感应电路与所述电源电路、所述降压整流电路以及所述漏电检测电路连接；所述电源电路包括相线L和零线N，分别与所述降压整流电路连接；所述双可控硅开关电路与脱扣器连接，当所述可控硅开关电路导通时，所述脱扣器对地导通与所述可控硅开关电路形成回路；所述双可控硅开关电路包括第一可控硅SCR1、第二可控硅SCR2、第三二极管D3、第三电阻R3、第二电容C2和第十二电容C12,所述第一可控硅SCR1的阴极与所述降压整流电路连接，所述第一可控硅SCR1的阳极与所述脱扣器连接；所述第一可控硅SCR1的控制极与所述第三二极管D3的阴极连接，所述第三二极管D3的阳极与所述第二可控硅SCR2的阴极连接，所述第二可控硅SCR2的阳极与所述脱扣器连接，所述第二可控硅SCR2的控制极与所述漏电检测电路连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡华阳科技有限公司 一种使用双可控硅的漏电检测保护装置
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