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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种集成均热板的高散热GaN并联功率模块，涉及电力电子技术领域，包括：第一GaN裸片～第四GaN裸片、第一解耦电容、第二解耦电容和PCB板；其中，第一GaN裸片、第三GaN裸片和第一解耦电容形成第一功率环路，第二GaN裸片、第四GaN裸片和第二解耦电容形成第二功率环路，在第一功率环路与第二功率环路中，该PCB板上、下两面的电流流向相反，因此可以产生相反方向的磁通并相互抵消，降低了寄生电感。此外，本发明使用垂直布局分离不同GaN裸片电位，解决了GaN裸片衬底需要与源极互联和均热板铜壳导电之间的矛盾，使均热板直接对GaN裸片散热成为可行，有效提高了功率模块的散热效率。
主权项：1.一种集成均热板的高散热GaN并联功率模块，其特征在于，包括：PCB板；在第一方向上，位于该PCB板一侧的第一GaN裸片和第二GaN裸片，以及位于该PCB板另一侧的第三GaN裸片和第四GaN裸片，所述第一方向为垂直于PCB板所在平面的方向；在第二方向上，位于所述第一GaN裸片远离所述第二GaN裸片一侧的第一解耦电容，以及位于所述第二GaN裸片远离所述第一GaN裸片一侧的第二解耦电容，所述第二方向位于所述PCB板所在的平面，且垂直于所述第一方向；其中，所述第一GaN裸片、所述第三GaN裸片和所述第一解耦电容形成第一功率环路，所述第二GaN裸片、所述第四GaN裸片和所述第二解耦电容形成第二功率环路，在所述第一功率环路与所述第二功率环路中，该PCB板上、下两面的电流流向相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种集成均热板的高散热GaN并联功率模块
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