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申请/专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
摘要：本发明涉及一种具有混合沟道结构的GaN器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括衬底层、GaN下沟道层、GaN区、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、漏极欧姆金属、源极欧姆金属、栅电极G1和栅电极G2，相比传统HEMT器件，添加一个由源极引出向漏极延伸的背势垒结构，并在器件的源极一侧延伸添加一个栅结构，形成一个由背势垒层以及GaN缓冲层组成的U型沟道体材料超结CAVET器件，利用到HEMT的部分实现器件的高击穿电压，同时节省器件平面上的特点，结合平面HEMT沟道实现对器件的电流能力以及动态特性的提升；通过结合GaN垂直超结器件和GaN基HEMT器件的优势，为650V至1200V电压等级的应用提供解决方案；该GaN器件可靠性和散热性好，交换速度更快，开关速度更快，开关损耗更小。
主权项：1.一种具有混合沟道结构的GaN器件，其特征在于，包括：衬底层01；GaN下沟道层02，位于所述衬底层01之上；GaN区，位于GaN下沟道层02之上，包括N型GaN漂移区03和P型GaN嵌入区04，所述N型GaN漂移区03内设置嵌入式凹槽结构，所述P型GaN嵌入区04设置在N型GaN漂移区03的嵌入式凹槽结构中；GaN缓冲层05，位于GaN区之上，AlGaNGaN势垒层06，位于GaN缓冲层05之上，并与GaN缓冲层05一同构成AlGaNGaN异质结；源极欧姆金属08，位于AlGaNGaN异质结上，通过刻蚀得到；漏极欧姆金属07，位于AlGaNGaN异质结上，通过刻蚀得到；栅电极，包括栅电极G109和栅电极G210，所述栅电极G109和栅电极G210均位于AlGaNGaN异质结上，通过刻蚀得到。
全文数据：
权利要求：
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