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复合材料及其制备方法和应用 

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申请/专利权人:湖南德智新材料有限公司

摘要:本发明涉及半导体材料的技术领域,提供了复合材料及其制备方法和应用,其制备方法包括(1)向沉积室中一次性注入Ta源气体、C源气体和还原气体,在自适应控压装置的调控下,在基底上CVD沉积一层TaC子层;(2)待沉积完成后,至少重复一次步骤(1),在步骤(1)中的TaC子层上沉积至少另一层TaC子层,得到所述复合材料。本发明通过脉冲式沉积的方法沉积的TaC涂层能够缓解TaC和碳基基底的热膨胀系数不匹配的问题,提高产品的抗热震性能,且能够提高产品的韧性和涂层间的结合强度。

主权项:1.一种复合材料的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)向沉积室中一次性注入Ta源气体、C源气体和还原气体,在自适应控压装置的调控下,在基底上CVD沉积一层TaC子层;(2)待沉积完成后,至少重复一次步骤(1),在步骤(1)中的TaC子层上沉积至少另一层TaC子层,得到所述复合材料;每次CVD沉积的条件相同或不同,每次CVD沉积的条件包括:沉积温度为1500℃-1900℃,压力为2kPa-12kPa,每次通入气体的量使得单层TaC子层的厚度为0.1μm-4μm;每次CVD沉积注入的气体中,Ta源气体、C源气体和还原气体的摩尔量之比为1:0.5-1.5:0.1-20。

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权利要求:

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