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申请/专利权人：中国民航大学
摘要：本发明属于半导体冶金技术领域，特别涉及一种黑锗锡的制备方法，包括：通过磁控溅射在硅衬底上沉积厚度为200‑600nm的锗锡薄膜，锗锡薄膜中Ge的含量为80～92at％，其余为Sn；将GeSn薄膜的表面划分为多个具有重合区域的加工路径；利用飞秒激光在第一加工路径进行Z字型扫描，将激光束以聚焦的方式在第一加工路径的表面形成高斯光斑，以对第一加工路径进行诱导加工；在第一次诱导加工完成之后，调节光诱导区域位置对第二加工路径进行诱导加工，同时对第一加工路径中与第二加工路径重叠区域进行第二次诱导加工，第二加工路径的激光参数与第一加工路径相同，两次加工路径重叠区域的表面形成GeSn纳米级尖锥结构层，能够有效提高黑锗锡的光吸收性能、发光性能和成品率。
主权项：1.一种提高黒锗锡吸收率和制备成品率的方法，其特征在于，包括：步骤1，通过磁控溅射在硅衬底上沉积厚度为200-600nm的锗锡薄膜，锗锡薄膜中Ge的含量为80～92at％，其余为Sn；Ge靶材使用射频磁控溅射，Sn靶材使用直流磁控溅射；整体的外延结构从上到下依次为GeSn薄膜层和Si衬底层；步骤2，将GeSn薄膜的表面划分为多个加工路径，多个加工路径具有重合区域；利用飞秒激光在第一加工路径进行Z字型扫描，将激光束以聚焦的方式在第一加工路径的表面形成高斯光斑，以对第一加工路径进行诱导加工；步骤3，在第一次诱导加工完成之后，调节光诱导区域位置对其余加工路径进行逐次诱导加工，多次加工路径重叠区域的表面形成GeSn纳米级尖锥结构层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国民航大学 一种黑锗锡的制备方法
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