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申请/专利权人：大连理工大学
摘要：一种阶梯十字梁群岛错位膜高过载压力传感器芯片及其制备方法，属于压力传感器技术领域。包括：玻璃衬底、硅片基底，硅片基底的外缘支撑在玻璃衬底的上方，硅片基底的中部为镂空结构,使二者之间形成密闭空腔；密闭空腔的顶壁面设有膜片感压结构；膜片感压结构分成阶梯十字梁群岛结构层、薄膜层和背腔结构层。阶梯十字梁群岛结构层由垂直薄膜层边缘中间分布的四条阶梯十字梁和位于薄膜上方均匀分布的正方形岛屿构成的群岛构成。背腔结构层由短梁、长梁、孤岛和群岛构成。短梁与阶梯十字梁对应，长度短，形成错位提高传感器的过载能力。本发明提出的传感器芯片结构合理，具备双向高过载的特点，提高传感器的动态性能、整体线性度，显著增强过载能力；制作方法简单、易于批量化生产。
主权项：1.一种阶梯十字梁群岛错位膜高过载压力传感器芯片，其特征在于，所述的压力传感器芯片包括硅片基体1和与硅片基体1进行阳极键合的玻璃基底8，玻璃基底8的外缘支撑在硅片基体1的下方，硅片基体1的中部为镂空结构，使二者之间形成密闭空腔；密闭空腔的顶壁面设有膜片感压结构，膜片感压结构分成阶梯十字梁群岛结构层、薄膜层和背腔结构层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 一种阶梯十字梁群岛错位膜高过载压力传感器芯片及其制备方法
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