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申请/专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
摘要：本发明属于集成电路技术领域，提供了一种提高种子层附着力的方法。本发明在完成开通孔的基板上，先沉积第一Ti层，然后用plasma轰击基板，将与基板接触的部分Ti层的原子嵌入到基板内，形成合金层，作为粘附力增强层，接着再沉积TiCu种子层，如此可以提高基板和TiCu种子层、通孔侧壁和TiCu种子层之间的附着力，再在Cu层表面制作电镀光阻层，在电镀光阻层的图案间隙处沉积Cu层，形成Cu柱，将电镀光阻层剥离，将电镀光阻原本所在位置的Cu层、TiCu种子层、第一Ti层、合金层刻蚀除去，最后完成种子层的制作。
主权项：1.一种提高种子层附着力的方法，其特征在于，包括如下步骤：1取基板，开通孔；2在基板表面沉积第一Ti层；3在第一Ti层表面进行plasma处理，形成合金层；4在第一Ti层表面沉积TiCu种子层；5在TiCu种子层表面制作电镀光阻层；6接着在电镀光阻层的图案的间隙处电镀沉积Cu，至通孔填满Cu且电镀光阻层的图案未沉积Cu时则停止沉积，形成Cu柱；7将电镀光阻层剥离；8置于刻蚀液中进行刻蚀，当电镀光阻原本所在位置的Cu层、TiCu种子层、第一Ti层、合金层被刻蚀除去且Cu柱被保留时，停止刻蚀；步骤3中，所述plasma处理为Xeplasma处理或Krplasma处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市矩阵多元科技有限公司 一种提高种子层附着力的方法
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