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申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明涉及一种辛基膦酸掺杂的准二维钙钛矿薄膜、制备方法与发光二极管，其中准二维钙钛矿薄膜包括准二维钙钛矿和辛基膦酸；所述二维钙钛矿的分子式为R2MA0.5Cs0.5PbBr3，其中R为苯乙基胺离子PEA+。所述发光二极管自下而上依次包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。上述准二维钙钛矿薄膜在发光二极管中作为发光层。与现有技术相比，本发明可以显著降低准二维钙钛矿薄膜表面的粗糙度，降低缺陷密度，最终得到致发光量子产率较高的薄膜和外量子效率较高的发光二极管。
主权项：1.一种辛基膦酸掺杂的准二维钙钛矿薄膜，其特征在于，包括准二维钙钛矿和辛基膦酸；所述二维钙钛矿的分子式为R2MA0.5Cs0.5PbBr3，其中R为苯乙基胺离子PEA+。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 一种辛基膦酸掺杂的准二维钙钛矿薄膜、制备方法与发光二极管
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