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申请/专利权人：浙江晶越半导体有限公司
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及制备碳化硅单晶的方法。本发明设计双层导流筒结构，促使下层导流筒能够将坩埚边缘的气相原料组分聚拢至中间区域，有效避免气相原料组分从坩埚边缘传输。下层导流筒的存在优化了气相原料组分的布局，重新分布了气相原料组分的传输路径，使得气相原料组分分布相对均匀，显著减少了碳化硅单晶生长过程中产生的包裹物、微管、位错等缺陷，有助于获得高质量的碳化硅单晶。本发明通过设置上层导流筒，有助于约束碳化硅单晶的生长场所，从而有效避免晶体边缘过度生长。本发明能够获得高质量的碳化硅单晶，制备的碳化硅单晶结晶质量一致性好，缺陷密度低。
主权项：1.一种碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，包括：坩埚（1），所述坩埚（1）的内部设置有晶体生长区（2）和用于容纳粉料的碳化硅粉料区（3），所述晶体生长区（2）的顶部设置有籽晶（4），所述籽晶（4）和碳化硅粉料区（3）之间设置有双层导流筒（5）；所述双层导流筒（5）包括用于传输气体至籽晶（4）的上层导流筒（6）和用于导流并汇聚气体的下层导流筒（7），所述上层导流筒（6）和下层导流筒（7）之间设置有用于支撑上层导流筒（6）并调整上层导流筒（6）与籽晶（4）之间距离的支撑环（8）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江晶越半导体有限公司 一种碳化硅单晶的生长装置及制备碳化硅单晶的方法
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