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一种磷化铟单晶生成装置 

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申请/专利权人:中讯半导体(江苏)有限公司

摘要:本发明公开了一种磷化铟单晶生成装置,包括加热箱和反应箱,所述加热箱一侧固定连接有连接管,所述连接管另一侧固定连接在反应箱上,且加热箱和反应箱均与连接管相连通,所述连接管外壁包裹有保温棉,所述连接管内壁底部固定连接有固定块,所述固定块靠近顶部位置开设有圆孔,所述圆孔中滑动连接有滑杆。本发明,加热箱内部的气压增大,当达到一定程度的时候,磷蒸汽将会加压密封板向反应箱移动,且弹簧受到压缩,同时密封板移动的距离越大,由于半圆锥槽的设置,通气的孔就越大,有效解决了背景技术中提出的问题,进而实现了对磷蒸汽的流量进行限制,避免过量的磷蒸汽在反应箱内未与铟反应,造成反应效率降低技术效果。

主权项:1.一种磷化铟单晶生成装置,包括加热箱(1)和反应箱(2),其特征在于,所述加热箱(1)一侧固定连接有连接管(10),所述连接管(10)另一侧固定连接在反应箱(2)上,且加热箱(1)和反应箱(2)均与连接管(10)相连通,所述连接管(10)外壁包裹有保温棉(3),所述连接管(10)内壁底部固定连接有固定块(15),所述固定块(15)靠近顶部位置开设有圆孔,所述圆孔中滑动连接有滑杆(14),所述滑杆(14)靠近反应箱(2)一侧固定连接有密封板(13),所述滑杆(14)另一侧固定连接有凸块(16),所述滑杆(14)位于固定块(15)和凸块(16)之间的圆周表面滑动套设有方块(17),所述方块(17)上开设有与滑杆(14)相适配的孔洞,所述滑杆(14)位于方块(17)和凸块(16)之间的圆周表面套设有弹簧(18),所述方块(17)两侧均固定连接有圆杆(19)。

全文数据:

权利要求:

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