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申请/专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
摘要：本发明公开了一种半导体封装制造方法，包括提供一个晶圆、采用一个种子层、形成一个光致抗蚀剂层、电镀一个铜层、去除光致抗蚀剂层、去除种子层、施加研磨工艺、形成金属化和施加分离工艺等步骤。本发明还公开了一种半导体封装，包括一个硅层、一个铝层、一个钝化层、一个聚酰亚胺层、一个铜层和一个金属化。在一个示例中，栅极夹片的接触区域的面积小于栅极铜表面的面积，栅极夹片的接触面积大于栅极铝表面。在另一示例中，栅极引脚的接触区域的面积大于栅极铜表面的面积，栅极引脚的接触区域的面积大于栅极铝表面。
主权项：1.一种用于制备多个功率半导体芯片的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：制备一个晶圆，包括多个功率半导体器件，其中多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件都包括一个第一金属层，位于晶圆的正面，使第一金属层形成第一源极金属垫和第一栅极金属垫的图案；以及一个钝化层，覆盖第一源极金属垫和第一栅极金属垫，所述钝化层被图案化，以通过所述钝化层的一个或多个源极钝化开口部分露出所述第一源极金属垫的顶面，并且通过所述钝化层的栅极钝化开口部分露出所述第一栅极金属垫的顶面；将种子层沉积到晶圆的正面上；在种子层上方设置光致抗蚀剂层并形成图案；在通过光致抗蚀剂层裸露出来的区域中，将第二金属层镀到晶圆的正面上；去除光致抗蚀剂层；移除未被第二金属层覆盖的种子层的剩余部分；研磨晶圆的背面，形成薄晶圆；在所述薄晶圆的背面上形成金属化；以及应用分离工艺，形成所述的多个功率半导体芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 万国半导体国际有限合伙公司 具有扩大栅极垫的半导体封装及其制造方法
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