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GaAs HEMT器件及其制造方法、电子设备 

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申请/专利权人:合肥欧益睿芯科技有限公司

摘要:本发明涉及半导体器件技术领域,为解决目前GaAsHEMT器件栅极和沟道之间的寄生电容高的技术问题,提出一种GaAsHEMT器件及其制造方法、电子设备,所述方法包括:在GaAs外延片上沉积多晶硅;对有源区的预设位置处进行刻蚀;在有源区上依次沉积氮化硅和二氧化硅;对有源区上的二氧化硅进行抛光磨平处理,直至有源区非预设位置处氮化硅的上表面高度;在有源区上再次沉积多晶硅;对栅极位置处进行刻蚀;在栅极位置处制作T形栅极,并刻蚀掉再次沉积的多晶硅的剩余部分;在有源区上再次沉积氮化硅,使T形栅极周围具有保护层;在有源区非预设位置处进行源极和漏极的制作;在有源区沉积绝缘介质,绝缘介质覆盖有源区,并在T形栅极之下的两侧均形成空气隔离腔。

主权项:1.一种GaAsHEMT器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,在GaAs外延片上沉积多晶硅,形成第一半成品;S2,对所述第一半成品的有源区的预设位置处进行刻蚀,将所述预设位置处的多晶硅刻蚀掉后,继续向下刻蚀直至所述GaAs外延片的势垒层,形成第二半成品;S3,在所述第二半成品的有源区上依次沉积氮化硅和二氧化硅,形成第三半成品;S4,对第三半成品的有源区上的二氧化硅进行抛光磨平处理,直至有源区非预设位置处氮化硅的上表面高度,保留所述预设位置处的二氧化硅,形成第四半成品;S5,在所述第四半成品的有源区上再次沉积多晶硅,形成第五半成品;S6,对所述第五半成品的栅极位置处进行刻蚀,依次刻蚀掉所述栅极位置处再次沉积的多晶硅、二氧化硅、氮化硅后,继续向下刻蚀直至所述GaAs外延片的势垒层,形成第六半成品,其中,所述栅极位置处在所述预设位置处之内;S7,对所述第六半成品的栅极位置处进行进一步刻蚀,刻蚀掉所述GaAs外延片的势垒层,停止在所述GaAs外延片的停止层,形成第七半成品,其中,停止层的材料为Ga0.5In0.5P;S8,在所述第七半成品的栅极位置处制作T形栅极,并刻蚀掉再次沉积的多晶硅的剩余部分,形成第八半成品;S9,在所述第八半成品的有源区上再次沉积氮化硅,使所述T形栅极周围具有保护层,形成第九半成品;S10,在所述第九半成品的有源区非预设位置处进行源极和漏极的制作,形成第十半成品;S11,在所述第十半成品的有源区沉积绝缘介质,所述绝缘介质覆盖有源区,并在所述T形栅极之下的两侧均形成空气隔离腔。

全文数据:

权利要求:

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