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申请/专利权人：武汉钧恒科技有限公司
摘要：本发明涉及一种钨铜基座，钨铜块水平的上表面上设有第一凸台，第一凸台的上表面具有分别用以让偏振无关光隔离器平行布置其在上，并将光路在高度方向向上偏移20um和向下偏移20um的第一斜面和第二斜面，钨铜块上表面上设有上表面为0°平面的第二凸台。800GDR8硅光光引擎耦合方法，假设激光器芯片和硅光芯片高度分别为J和G；若│J‑G│≤10um，将偏振无关光隔离器贴在第二凸台的0°平面上；若10um≤G‑J≤30um，将偏振无关光隔离器贴在第一凸台的第一斜面上；若10um≤J‑G≤30um，将偏振无关光隔离器贴在第一凸台的第二斜面上。有益效果为：让30um误差降低到10um，以提升耦合效率和良率。
主权项：1.一种800GDR8硅光光引擎耦合方法，其特征在于，所采用的钨铜基座包括：上表面为水平面的钨铜块110，所述钨铜块110上表面上设有第一凸台120，所述第一凸台120的上表面具有向上倾斜且用以让偏振无关光隔离器8平行布置其在上，并将光路在高度方向向上偏移20um的第一斜面121，所述第一凸台120的上表面具有向下倾斜且用以让偏振无关光隔离器8平行布置其在上，并将光路在高度方向向下偏移20um的第二斜面122，所述第一斜面121和第二斜面122以屋脊型分布，所述钨铜块110上表面上设有上表面为0°平面131的第二凸台130；耦合步骤如下：Step1、在钨铜块110上表面上以贴片方式固定硅光芯片2以及带激光器芯片3的陶瓷热沉4，激光器芯片3和硅光芯片2分别位于第一凸台120以及第二凸台130外侧；Step2、分别测量激光器芯片3光路中心高度和硅光芯片2光路中心高度，假设激光器芯片3光路中心高度为J，硅光芯片2光路中心高度为G；若：│J-G│≤10um，则将偏振无关光隔离器8贴在第二凸台130的0°平面131上；若：10um≤G-J≤30um，则将偏振无关光隔离器8贴在第一凸台120的第一斜面121上，以让光路在高度方向向上偏移20um；若：10um≤J-G≤30um，则将偏振无关光隔离器8贴在第一凸台120的第二斜面122上，以让光路在高度方向向下偏移20um。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉钧恒科技有限公司 一种钨铜基座及800G DR8硅光光引擎和耦合方法
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