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申请/专利权人：深圳市冠禹半导体有限公司
摘要：本发明涉及MOSFET测试领域，具体涉及一种MOSFET器件的快速测试方法、设备及系统。该方法获取MOSFET器件的不同性能参数在每个生产线的合格率，获取每个生产线的历史生产总量、次品生产率、每次故障的历史时刻以及每个生产线上不同类型设备的故障次数，基于目标生产线的历史生产总量，并结合其发生故障的可能性，得到目标生产线的真实抽样数量，分析各性能参数在目标生产线中需要测试的必要性，得到每个性能参数在目标生产线的测试必要性，进而基于真实抽样数量和每个性能参数的测试必要性，对目标生产线新生产的MOSFET器件进行抽样检测。本发明能够提高对生产线上MOSFET器件测试的准确度以及测试的效率。
主权项：1.一种MOSFET器件的快速测试方法，其特征在于，所述方法包括：获取MOSFET器件的不同性能参数在每个生产线的合格率，同时获取每个生产线的历史生产总量、次品生产率、每次故障的历史时刻以及每个生产线上不同类型设备的故障次数；将任意一个生产线作为目标生产线，根据目标生产线的历史生产总量，获得目标生产线的初始抽样数量；根据目标生产线的次品生产率、相邻两次故障的历史时刻的差异以及所有类型的设备的故障次数，获得目标生产线的故障可能性；根据目标生产线的故障可能性，对初始抽样数量进行调整，获得目标生产线的真实抽样数量；将MOSFET器件的任意一个性能参数作为目标参数，根据目标参数在目标生产线的合格率，获得目标参数在目标生产线的关注程度；将除目标生产线之外的其他生产线作为参考生产线，根据目标生产线与每个参考生产线之间相同类型设备的所述故障次数的差异和所述故障可能性的差异，获得每个参考生产线的故障相似度；根据所述故障相似度、目标参数在生产线的合格率、目标参数在参考生产线的关注程度，对目标参数在目标生产线的关注程度进行调整，获得目标参数在目标生产线的测试必要性；基于目标生产线的所述真实抽样数量和每个性能参数在目标生产线的所述测试必要性，对目标生产线新生产的MOSFET器件进行抽样检测。
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权利要求：
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