龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：江苏索力德普半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及一种具有异质结的沟槽型SiC功率器件及制备方法。其包括：SiC基板以及有源区，对任一元胞，包括元胞沟槽、第二导电类型基区以及异质结单元组，其中，异质结单元组包括异质结单元；异质结单元至少包括第二导电类型导电多晶硅体，所述第二导电类型导电多晶硅体的侧壁至少与第二导电类型基区绝缘隔离，基于第二导电类型导电多晶硅体的下端部与第二导电类型基区的接触界面形成异质结；第二导电类型导电多晶硅体与有源区上方的源极金属欧姆接触，且源极金属与所述异质结单元所在的第二导电类型基区欧姆接触。本发明能加快载流子的抽取速度，减少关断损耗，可改善功率器件的关断特性。
主权项：1.一种具有异质结的沟槽型SiC功率器件，其特征是，所述SiC功率器件包括：SiC基板，呈第一导电类型；有源区，制备于所述SiC基板的中心区，包括若干并联成一体的元胞，其中，有源区内的元胞采用沟槽结构，且在有源区内设置横贯所述有源区的第二导电类型基区，所述第二导电类型基区位于有源区内元胞沟槽槽底的上方；对任一元胞，包括元胞沟槽、分布于所述元胞沟槽两侧的第二导电类型基区以及用于加快载流子抽取速度的异质结单元组，其中，所述异质结单元组包括设置于元胞沟槽每侧第二导电类型基区内的异质结单元；所述异质结单元至少包括第二导电类型导电多晶硅体，所述第二导电类型导电多晶硅体的侧壁至少与第二导电类型基区绝缘隔离，第二导电类型导电多晶硅体的下端部位于第二导电类型基区内，且基于第二导电类型导电多晶硅体的下端部与第二导电类型基区的接触界面形成异质结；第二导电类型导电多晶硅体与有源区上方的源极金属欧姆接触，且源极金属与所述异质结单元所在的第二导电类型基区欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏索力德普半导体科技有限公司 具有异质结的沟槽型SiC功率器件及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号