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申请/专利权人：西安交通大学;绍兴市通越宽禁带半导体研究院

摘要：本发明公开了一种基于非切割型纳米晶的高频变压器及设计方法，属于变压器制造技术领域。本发明的第一内层骨架和第二内层骨架通过第一插接组件连接构成内层骨架，原边绕组绕设在内层骨架上；第一外层骨架和第二外层骨架通过第二插接组件连接构成外层骨架，副边绕组绕设在外层骨架上；第一内层骨架与第一外层骨架以及第二内层骨架和第二外层骨架之间也采用插接组件连接；磁芯为两组对称安装在骨架上的非切割纳米晶磁芯，本发明针对基于非切割型纳米晶磁芯，考虑磁芯、骨架以及绕组之间的配合，巧妙灵活地设计内外层骨架，通过骨架上的插接组件实现骨架可拆卸功能的同时保证了变压器整体的机械强度和绝缘强度和散热能力，并尽可能减小体积。

主权项：1.一种基于非切割型纳米晶的高频变压器，包括磁芯5、原边绕组10、副边绕组9和骨架，其特征在于，所述骨架包括第一内层骨架1、第二内层骨架3、第一外层骨架2和第二外层骨架4，所述第一内层骨架1、第二内层骨架3、第一外层骨架2和第二外层骨架4均为U型结构；所述第一内层骨架1和第二内层骨架3通过第一插接组件连接构成椭圆环状的内层骨架，原边绕组10绕设在第一内层骨架1和第二内层骨架3构成的内层骨架上；所述第一外层骨架2和第二外层骨架4通过第二插接组件连接构成椭圆环状的外层骨架，副边绕组9绕设在第一外层骨架2和第二外层骨架4构成的外层骨架上；所述第一内层骨架1与第一外层骨架2以及第二内层骨架3与第二外层骨架4之间均采用第三插接组件连接；所述磁芯5为两组对称安装的非切割纳米晶磁芯，其中一组套装在所述第一内层骨架1和第一外层骨架2同侧的长边上，另外一组套装在第一内层骨架1和第一外层骨架2同侧的另一长边上；所述第一插接组件、第二插接组件及第三插接组件均沿水平方向插接；所述第一内层骨架1和第二内层骨架3U型结构开口处的两个对接端均通过第一插接组件连接，每个对接端均包括位于对接端顶部和位于对接端底部的一组第一插接组件，两个对接端上的第一插接组件均沿水平方向插接，且两个对接端上的第一插接组件沿所述内层骨架长度方向的中心轴线对称分布；所述第一外层骨架2和第二外层骨架4U型结构开口处的两个对接端均通过第二插接组件连接，每个对接端均包括位于对接端顶部和位于对接端底部的一组第二插接组件，两个对接端上的第二插接组件沿水平方向插接，且两个对接端上的第二插接组件沿所述内层骨架长度方向的中心轴线对称分布，所述内层骨架长度方向的中心轴线和外层骨架长度方向的中心轴线重合；所述第一内层骨架1外侧与第一外层骨架2内侧通过沿高度方向分布的两组第三插接组件连接，两组第三插接组件沿所述内层骨架或外层骨架长度方向的中心轴线对称分布，各组第三插接组件均至少包括一位于第一内层骨架1和第一外层骨架2顶部，用于实现顶部连接的第三插接组件，以及一位于第一内层骨架1和第一外层骨架2底部，用于实现底部连接的第三插接组件，各第三插接组件均沿水平方向插接；所述第二内层骨架3外侧与第二外层骨架4内侧通过沿高度方向分布的两组第三插接组件连接，两组第三插接组件沿所述内层骨架或外层骨架长度方向的中心轴线对称分布，各组第三插接组件均至少包括一位于第二内层骨架3和第二外层骨架4顶部，用于实现顶部连接的第三插接组件，以及一位于第二内层骨架3和第二外层骨架4底部，用于实现底部连接的第三插接组件，各第三插接组件均沿水平方向插接；所述内层骨架上沿其环向设有用于绕设原边绕组10的内层骨架圆槽13，原边绕组10的抽头从设置在内层骨架上的内层绕组引出端口6引出；外层骨架上沿环向设有用于绕设副边绕组9的外层骨架圆槽12，副边绕组9的抽头从设置在外层骨架上的外层绕组引出端口7引出。

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