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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本发明公开了一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法的制备方法，根据光刻图形设计分隔构件，所述分隔构件包括罩板，罩板具有遮蔽区和镂空区，镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板；在半导体基板表面涂覆光刻胶后放置分隔构件，并使隔板嵌入光刻胶中将光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分物理隔开，然后进行曝光、显影以及后续的蚀刻工艺。通过分隔构件物理隔离需曝光部分的光刻胶，可实现九十度的垂直剖面，实现了低成本，高精度的光刻工艺。
主权项：1.一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法，其特征在于，根据光刻图形制作耐酸碱且不透明的分隔构件，所述分隔构件包括罩板，所述罩板具有遮蔽区和镂空区，镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板；所述光刻方法包括以下步骤：1）于半导体基片表面涂覆光刻胶；2）将分隔构件放置于光刻胶表面，向下按压至隔板嵌入光刻胶中，使光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分互相独立，然后对光刻胶进行软烘，软烘是在80-110℃下烘烤80-150s，随后在20-30℃下冷烤3-8min；3）将步骤2）的结构置于曝光机中，进行曝光，曝光的功率密度为200-1000Jcm2，曝光时间40-100s；4）进行显影工艺，去除镂空区对应的光刻胶得到蚀刻窗口；5）移除分隔构件；6）对蚀刻窗口内的半导体基片进行蚀刻，蚀刻完成后，剥离光刻胶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法
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