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申请/专利权人:天津大学
摘要:本发明公开了一种用于辐射冷却的SEBS‑SnO2复合膜及其制备工艺,涉及辐射制冷技术领域,包括氢化苯乙烯‑丁二烯嵌段共聚物SEBS、氧化锡SnO2、四氢呋喃THF、无水乙醇;其中,所述SEBS‑SnO2复合膜的基体为SEBS膜,SnO2为添加粒子。所述SEBS膜的纤维直径、分布密度不均一。SnO2作为添加粒子,粒径分布不均一;还公开了一种用于辐射冷却的SEBS‑SnO2复合膜的制备工艺,包括如下步骤:利用静电纺丝制备SEBS膜,用高压喷枪将SnO2乳液喷涂在SEBS膜表面,最后自然干燥。本发明提供的复合膜有良好的力学性、光学性、疏水性、热稳定性,且制备方法简单。
主权项:1.一种用于辐射冷却的SEBS-SnO2复合膜,其特征在于,包括如下组分:氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物SEBS、氧化锡SnO2、四氢呋喃THF、无水乙醇;其中,所述SEBS-SnO2复合膜内,纤维直径、纤维分布密度不均一,且薄膜需要一定厚度,SnO2颗粒的粒径分布也不均一。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 天津大学 一种用于辐射冷却的SEBS-SnO2复合膜及其制备工艺
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