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申请/专利权人：云南师范大学

摘要：本发明属于光成像技术领域，公开了一种MoTe2CdS0.42Se0.58薄片异质结光电探测器及制备方法，该器件包括MoTe2CdS0.42Se0.58薄片异质结；所述CdS0.42Se0.58薄片包括：Cd、S和Se。本发明制备了一个基于少层MoTe2CdS0.42Se0.58薄片异质结的高性能光电探测器。该光电探测器的高响应率为7221AW，电流的开态与关态比为1.73×104，快速响应速度为90120μs，外量子效率EQE最高可达1.52×106％和探测率D*达到1.67×1015Jonse。通过光电流映射测试和第一性原理计算，分析了异质结光电探测器的优异性能。在MoTe2CdS0.42Se0.58上成功地获得了可见光成像功能，这表明该器件具有实际的成像应用前景，本研究结果为基于超高性能光电探测器MoTe2的设计提供了参考。

主权项：1.一种少层的MoTe2CdS0.42Se0.58薄片异质结光电探测器，其特征在于，包括MoTe2CdS0.42Se0.58薄片异质结；所述CdS0.42Se0.58薄片包括：Cd、S和Se；制备所述的少层的MoTe2CdS0.42Se0.58薄片异质结光电探测器的制备方法，包括：S1：CdS0.42Se0.58薄片的制备；S2：MoTe2CdS0.42Se0.58异质结光电探测器的制备；S3：第一性原理的计算；MoTe2CdS0.42Se0.58薄片异质结的制备方法，所述S1具体包括：S11：将纯度为99.99％的高纯度硫化镉和硒化镉粉末以1：1的摩尔比组合在陶瓷船中；S12：将混合物放置在石英管内的中心蒸发区；S13：将硅晶片切成测量1.5×1.0cm2的薄片，并浸泡在含有丙酮的烧杯中；在丙酮溶液中进行超声波清洗10分钟后，再用乙醇和去离子水清洗10分钟；清洗过程后，在二氧化硅衬底上喷金颗粒，并把衬底放置在石英管的上游和下游区域；S14：将石英管引入管状炉，温度以5.6℃min的速率逐渐提高至835℃；在17sccm的流量下，系统以95:5为比例的Ar：H2气体混合物在此温度下保持150分钟；S15：待管式炉自然冷却到室温，就获得CdS0.42Se0.58片状物，少层MoTe2薄片采用机械剥离法得到；MoTe2CdS0.42Se0.58薄片异质结光电探测器，所述S2具体包括：S21：利用电子束蒸发设备将Cr和Au依次沉积在清洁的二氧化硅衬底上，形成通道长度为5μm的电极；MoTe2薄片通过二维材料转移系统转移到金电极上；S22：制备了CdS0.42Se0.58薄片，将薄片浸泡在乙醇溶液中，然后滴加到另一个干净的二氧化硅衬底上，CdS0.42Se0.58在乙醇蒸发后，薄片仍留在衬底上；S23：CdS0.42Se0.58薄片从初始衬底上分离，使用PDMS薄膜转移在MoTe2薄片的上方，从而完成了异质结的构造。

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百度查询： 云南师范大学 MoTe₂/CdS_0.42Se_0.58薄片异质结光电探测器及制备方法