龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：陕西电子芯业时代科技有限公司
摘要：本发明提供一种具有高K隔绝介质的超结MOSFET的制造方法。所述具有高K隔绝介质的超结MOSFET的制造方法包括以下步骤：提供具有选定区域的硅基N型衬底，在N型衬底的正面淀积N型外延材料，N型外延材料上经过低浓度N型离子的注入形成N型漂移区，在选定区域内注入一定浓度的P型离子并推进，在N型漂移区中形成P型柱区域。本发明提供的具有高K隔绝介质的超结MOSFET的制造方法，本发明通过在超结MOSFET的P型柱中设置高K隔绝介质，减少P型柱与N型漂移区之间PN结边界处积累的少子电荷，显著降低了器件内体二极管的反向恢复电流，降低器件在电路中的功耗损失。
主权项：1.一种具有高K隔绝介质的超结MOSFET的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供具有选定区域的硅基N型衬底，在N型衬底的正面淀积硅形成硅外延材料，硅外延材料上经过低浓度N型离子的注入形成N型漂移区，在选定区域内注入一定浓度的P型离子并推进，在N型漂移区中形成P型柱区域；步骤二：正面淀积硅形成硅外延材料，硅外延材料上经过低浓度N型离子的注入形成N型漂移区，在选定区域内注入一定浓度的P型离子并推进，形成P型柱区域，在竖直方向上重复步骤共6～9次，形成在水平方向上相间隔设置的P型柱下部；步骤三：在所述P型柱上淀积高k隔绝介质形成隔绝介质层，在所述隔绝介质层上进行光刻刻蚀后，P型柱上留下的高k隔绝介质形成隔绝介质层；步骤四：在所述N型外延层的正面继续淀积N型外延层材料；步骤五：N型外延层材料上经过低浓度N型离子的注入、P型柱区域内光刻胶去除、P型柱区域内低浓度P型离子的注入推进，形成P型柱上部；步骤六：通过离子注入在所述N型漂移层的两侧，P型柱的上方，形成P型体区；步骤七：在所述P型体区上方形成第一N型源区和第二N型源区；步骤八：在N型外延覆盖层的正面淀积二氧化硅，形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层的正面淀积多晶硅层，形成栅极导电多晶硅，在栅极导电多晶硅上进行刻蚀，在P型体区上方形成接触孔；步骤九：与所述接触孔上淀积金属形成源极，在所述N型衬底的背面形成漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 陕西电子芯业时代科技有限公司 一种具有高K隔绝介质的超结MOSFET的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号