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申请/专利权人：华芯程(杭州)科技有限公司
摘要：本申请公开了晶片表面形貌的光刻偏差补偿方法、装置、设备及介质，涉及晶片光刻补偿技术领域，包括：基于待补偿晶片的设计版图获取待补偿晶片用于进行光刻操作的光刻目标图案；根据设计版图中的晶片表面形貌信息从预设晶片表面形貌偏差补偿规则表中选择与待补偿晶片的晶片表面形貌信息对应的偏差补偿值；预设晶片表面形貌偏差补偿规则表为模型生成的包含不同晶片表面形貌信息、不同晶片表面形貌信息导致的光刻后光刻胶三维形貌信息的形貌偏差因素与对应的偏差补偿值的表；根据偏差补偿值对光刻目标图案中的图形进行边缘移动，以得到补偿后的光刻目标图案。通过模型生成的预设晶片表面形貌偏差补偿规则表中获取的偏差补偿值更加准确。
主权项：1.一种晶片表面形貌的光刻偏差补偿方法，其特征在于，包括：基于待补偿晶片的设计版图获取待补偿晶片用于进行光刻操作的光刻目标图案；根据所述设计版图中的离子注入图层线宽值、离子注入图层间距值、晶片表面形貌图层与离子注入图层的间距值从预设晶片表面形貌偏差补偿规则表中选择与所述待补偿晶片的晶片表面形貌信息对应的偏差补偿值；所述预设晶片表面形貌偏差补偿规则表包含在不同晶片表面形貌信息、不同晶片表面形貌信息导致的光刻后光刻胶三维形貌信息的形貌偏差因素下对应的偏差补偿值；根据所述偏差补偿值对所述光刻目标图案中的图形进行边缘移动，以得到补偿后的光刻目标图案。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华芯程(杭州)科技有限公司 晶片表面形貌的光刻偏差补偿方法、装置、设备及介质
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