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申请/专利权人：北京无线电测量研究所

摘要：本发明公开了一种中功率低附加调幅多功能芯片，包括1分2功率分配器和两个收发通道，每个收发通道的数控衰减器单元的输入端口是芯片信号输入端，输出端口与中功率接收放大器单元的输入端口相连，接收放大器单元的输出端口与收发开关单元的接收端口相连，收发开关单元的公共端口与数控低附加调幅移相器单元的第一端口相连，发射端口与中功率发射放大器单元的输入端口相连，发射放大器单元的输出端口是芯片信号输出端；功率分配器的第一端口是芯片的公共端口，第二端口与第三端口分别与两个收发通道的数控低附加调幅移相器单元的第二端口相连。本发明能够输出中等功率信号，降低移相附加调幅参数，提升相控阵天线集成度，优化天线旁瓣性能。

主权项：1.一种中功率低附加调幅多功能芯片，其特征在于，所述芯片包括1分2功率分配器和两个收发通道，每个收发通道包括中功率发射放大器单元、收发开关单元、数控低附加调幅移相器单元、数控衰减器单元、中功率接收放大器单元；其中，收发开关单元用于切换所述芯片的接收与发射状态，数控低附加调幅移相器单元用于实现收发通道的相位控制，数控衰减器单元用于实现接收通道的幅度控制，中功率接收放大器单元用于实现接收通道的信号放大，中功率发射放大器单元用于实现发射通道的信号放大；数控衰减器单元的输入端口是所述芯片的接收信号输入端，数控衰减器单元的输出端口与中功率接收放大器单元的输入端口相连接，中功率接收放大器单元的输出端口与收发开关单元的接收端口相连接，收发开关单元的公共端口与数控低附加调幅移相器单元的第一端口相连接，收发开关单元的发射端口与中功率发射放大器单元的输入端口相连接，中功率发射放大器单元的输出端口是所述芯片的发射信号输出端；1分2功率分配器的第一端口是所述芯片的公共端口，第二端口与第三端口分别与两个收发通道的数控低附加调幅移相器单元的第二端口相连接，数控低附加调幅移相器单元包括依次相连的45度移相器单元、22.5度移相器单元、90度移相器单元、11.25度移相器单元、5.625度移相器单元、180度移相器单元以及第一驱动器单元，所述45度移相器单元、22.5度移相器单元、90度移相器单元、11.25度移相器单元、5.625度移相器单元、180度移相器单元的控制端口均与第一驱动器单元的输出端口相连；45度移相器单元、90度移相器单元、180度移相器单元采用开关高低通滤波器结构，22.5度移相器单元、11.25度移相器单元、5.625度移相器单元采用T型结构，45度移相器单元、90度移相器单元、180度移相器单元为低附加调幅数控移相器，所述低附加调幅数控移相器包括射频输入端口、射频输出端口、第一控制端口、第二控制端口、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第一电感、第二电感、第三电感；所述第一晶体管的第一端口与第二晶体管的第一端口、第七晶体管的第一端口、第八晶体管的第一端口、第一控制端口相连，第一晶体管的第二端口与第三晶体管的第二端口、第一电阻的第一端口相连，第一晶体管的第三端口与第五晶体管的第三端口、射频输入端口相连，第二晶体管的第二端口与第四晶体管的第二端口、第二电阻的第一端口相连，第二晶体管的第三端口与第六晶体管的第三端口、射频输出端口相连，第三晶体管的第一端口与第四晶体管的第一端口、第五晶体管的第一端口、第六晶体管的第一端口、第二控制端口相连，第三晶体管的第三端口接地，第四晶体管的第三端口接地，第五晶体管的第二端口与第七晶体管的第二端口、第二电感的第一端口相连，第六晶体管的第二端口与第八晶体管的第二端口、第三电感的第一端口相连，第七晶体管的第三端口接地，第八晶体管的第三端口接地，第一电阻的第二端口与第一电容的第一端口相连，第二电阻的第二端口与第二电容的第一端口相连，第一电容的第二端口与第二电容的第二端口、第一电感的第一端口相连，第一电感的第二端口接地，第三电容的第一端口与第二电感的第二端口、第三电感的第二端口相连，第三电容的第二端口接地。

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