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申请/专利权人：京瓷高压(北京)科技有限公司
摘要：本发明公开了一种冷烧结钛酸锶钡基陶瓷及其制备方法，所述冷烧结钛酸锶钡基陶瓷的相对密度为90.4％～96.7％；1MHz下介电常数为1805～2582，介电损耗0.01％～0.02％；1MHz～8MHz的频率范围和20℃～85℃的温度范围内介电常数1551，变化率10％，介电损耗0.02％，变化率30％，该冷烧结钛酸锶钡基陶瓷与传统固相法制备得到的陶瓷相比具有相当的低频性能，以及更优异的高频特性。
主权项：1.一种冷烧结钛酸锶钡基陶瓷的制备方法，其特征在于，所述冷烧结钛酸锶钡基陶瓷的相对密度为90.4%~96.7%；1MHz下介电常数为1805~2582，介电损耗0.01%~0.02%；1MHz~8MHz的频率范围和20℃~85℃的温度范围内介电常数1551，变化率10%，介电损耗0.02%，变化率30%；所述方法包括将原料钛酸锶钡预合成粉、中间液源和掺杂剂经混合、单轴热压烧结、再加压煅烧和退火，得到冷烧结钛酸锶钡基陶瓷；所述单轴热压烧结的温度为180℃~200℃，压力为300MPa~600MPa，再加压煅烧的温度为160℃~180℃，压力为200MPa~500MPa；所述中间液源为氢氧化镁或草酸镁，所述掺杂剂为氧化铋。
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