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申请/专利权人：哈尔滨理工大学

摘要：一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件。本发明涉及太赫兹超材料功能器件领域，具体涉及一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件。本发明是为解决现有太赫兹超材料存在的结构复杂、调控范围受限以及器件功能单一的问题。它由若干个结构单元周期性阵列而成；单个结构单元为三层结构，由上至下依次为合金谐振器、聚酰亚胺电介质层和金属衬底；合金谐振器为一个沿对角线方向的条状结构，该条状结构的中心由固定的正方形金属铜构成，沿对角线方向正方形金属铜的两侧设置有两个可形变Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金构成的悬臂结构。本发明用于可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。

主权项：1.一种基于Ni-Mn-Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件，其特征在于基于Ni-Mn-Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件由若干个结构单元周期性阵列而成；单个结构单元为三层结构，由上至下依次为Ni-Mn-Sn形状记忆合金谐振器（3）、聚酰亚胺电介质层（2）和金属衬底（1）；所述Ni-Mn-Sn形状记忆合金谐振器为一个沿对角线方向的条状结构，该条状结构的中心由固定的正方形金属铜（3-2）构成，沿对角线方向正方形金属铜（3-2）的两侧设置有两个可形变Ni-Mn-Sn形状记忆合金构成的悬臂结构（3-1）；所述周期性阵列的结构单元的周期p=70µm，Ni-Mn-Sn形状记忆合金谐振器的厚度h3=3µm、边长l=35µm、线宽w=4µm，聚酰亚胺介质层的厚度h2=27.5µm，金属衬底的厚度h1=0.5µm；所述基于Ni-Mn-Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件通过施加外加磁场，改变Ni-Mn-Sn形状记忆合金构成的悬臂结构（3-1）的旋转角度；通过改变Ni-Mn-Sn形状记忆合金构成的悬臂结构（3-1）的形状来改变电磁性能；外磁场激励使Ni-Mn-Sn形状记忆合金构成的悬臂结构（3-1）发生弯曲改变，形成不同的重构结构；当Ni-Mn-Sn形状记忆合金构成的悬臂结构（3-1）不发生弯曲形变时，在1.04~1.96THz范围内，基于Ni-Mn-Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件的偏振旋转角为90度；当弯曲形变为20°时，偏振旋转角为50°；当弯曲形变为-20°时，偏振旋转角为-60°；随着金属薄膜发生弯曲形变，所述基于Ni-Mn-Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件将线偏振光的偏振方向在传输模式下在50°到90°和-90°到-60°的范围内旋转任意所需角度。

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