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申请/专利权人：斯科纳电池技术私人有限公司
摘要：本发明大体上涉及制备包含纳米级硅和碳的硅复合材料的方法，该方法包括以下步骤：制备硅纳米颗粒和选定形式的碳的分散体；喷雾干燥分散体，以形成基本上球状的硅纳米颗粒；热处理硅纳米颗粒，以热解和或燃烧掉任何聚合物，并强化硅纳米颗粒；用碳涂覆硅纳米颗粒，以形成Si:C复合材料；以及任选地，在加热步骤c或涂覆步骤d过程中或在随后的热处理步骤过程中，向复合材料添加诸如锂、镁、氮和卤素气体的额外元素。本发明还涉及通过这种方法制备的复合材料、由该复合材料制成的负极或正极以及包含该负极或正极的电池。
主权项：1.硅复合材料，其包含重量比为约75:25至约99:1硅:碳的纳米级硅和碳，并且其孔隙的体积分数为约20％至约70％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 斯科纳电池技术私人有限公司 硅复合材料
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