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申请/专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
摘要：公开了根据式A和B的卤素官能化环三硅氮烷前体化合物，以及使用该化合物的方法，其用于通过热原子层沉积ALD或等离子体增强原子层沉积PEALD工艺及其组合来沉积含硅膜，如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳氮化硅、氧碳氮化硅或碳掺杂氧化硅。
主权项：1.一种选自式A和B的硅前体化合物： 其中R1-6各自独立地选自氢、甲基和卤素；R7和R8各自独立地选自氢、C1-10直链烷基、C3-10支链烷基、C3-10环烷基、C2-10烯基、C4-10芳基和C4-10杂环基；R9-11各自独立地选自氢、C1-10直链烷基、C3-10支链烷基、C3-10环烷基、C2-10烯基、C4-10芳基、C4-10杂环基和卤素，其中取代基R1-11中的两个或更多个可以不连接或连接以形成取代的或未取代的、饱和或不饱和的环状基团，其中式A中的取代基R1-6中的至少一个是卤素，其中式A中的R7和R8不能都是氢，并且其中式B中的取代基R9-11中的至少一个是卤素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 弗萨姆材料美国有限责任公司 卤素官能化的环三硅氮烷作为用于沉积含硅膜的前体
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