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申请/专利权人：吉利硅谷(谷城)科技有限公司;湖南立新硅材料科技有限公司
摘要：本发明公开了一种N型单晶硅的制备方法及N型单晶硅，所述制备方法包括：将硅原料和复合掺杂源按质量比混合均匀获得混合粉料，所述复合掺杂源包括主元素、副元素和辅助元素，所述主元素、所述副元素和所述辅助元素的摩尔比为86～89:5～8:6～9；以及将所述混合粉料在惰性氛围下进行熔融，引入籽晶，在预设晶体生长温度下进行单晶硅生长。通过本发明提供的一种N型单晶硅的制备方法及N型单晶硅，能够提升N型单晶硅的电阻率分布的均匀，提高单晶硅的强度，提高硅片的加工的稳定性和光电转换效率。
主权项：1.一种N型单晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将硅原料和复合掺杂源按质量比混合均匀获得混合粉料，所述复合掺杂源包括主元素、副元素和辅助元素，所述主元素、所述副元素和所述辅助元素的摩尔比为86～89:5～8:6～9；以及将所述混合粉料在惰性氛围下进行熔融，引入籽晶，在预设晶体生长温度下进行单晶硅生长。
全文数据：
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百度查询： 吉利硅谷(谷城)科技有限公司 湖南立新硅材料科技有限公司 一种N型单晶硅的制备方法及N型单晶硅
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