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申请/专利权人:普雷茨特光电有限公司
摘要:一种用于测量晶片10的装置14包括光学相干断层扫描仪22和扫描装置26,光学相干断层扫描仪产生测量光束24并通过光学系统38将测量光束对准晶片10,扫描装置使测量光束24偏转到两个空间方向。控制单元36对扫描装置26进行控制,以使测量光束24依次在多个测量点上扫描晶片10的表面。此时,两个测量点之间的距离dmax为140mm≤dmax≤600mm。评估单元57根据光学相干断层扫描仪22所提供的干涉信号计算距离值和或厚度值。提供了额外措施、例如,校准测量,以减小由扫描装置引起的场曲率所造成的测量错误。
主权项:1.一种用于测量晶片10的装置14,其包括:光学相干断层扫描仪22,其被设计为产生测量光束24,并通过光学系统38将所述测量光束对准所述晶片10,扫描装置26,其被设计为使所述测量光束24偏转到两个空间方向,控制单元36,其被设计为对所述扫描装置26进行如此控制,以使得所述测量光束24依次在多个测量点上扫描所述晶片10的表面,其中,两个测量点之间的距离dmax为140mm≤dmax≤600mm,并且所述装置包括:评估单元57,其被设计为根据所述光学相干断层扫描仪22所提供的干涉信号计算距离值和或厚度值。
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百度查询: 普雷茨特光电有限公司 用于测量晶片的装置和方法
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