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一种强化玻璃陶瓷、盖板玻璃、电子设备和玻璃器件 

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申请/专利权人:重庆鑫景特种玻璃有限公司

摘要:本申请提供了一种含有尖晶石的强化玻璃陶瓷、盖板玻璃、电子设备和玻璃器件,属于微晶玻璃技术领域。通过以锌铝尖晶石‑镁铝尖晶石固溶体作为玻璃陶瓷的主晶相,使玻璃陶瓷获得了高的本征强度,而通过对该玻璃陶瓷进行化学强化,并使制得的强化玻璃陶瓷的表面组成和应力分布情况满足特定要求,尤其是使其表面Na2O含量、表面K2O含量、K+扩散深度、Na+浓度最大值所在位置的深度满足特定要求,同时使强化玻璃陶瓷的厚度、K+扩散深度或称为K+交换层深度DOL_K、|CT‑AV|和压缩应力层深度DOL_0满足公式A,显著地改善了强化玻璃陶瓷的机械性能,使强化玻璃陶瓷同时获得了优异的抗挤压性能和抗冲击性能。

主权项:1.一种强化玻璃陶瓷,其特征在于,所述强化玻璃陶瓷中,包含主晶相锌铝尖晶石-镁铝尖晶石固溶体和次晶相氧化锆;所述强化玻璃陶瓷在表面具有压缩应力层,并且在内部具有张应力;以氧化物的质量百分比计,所述强化玻璃陶瓷的表面K2O质量百分比为2.50%~7.50%,优选为,所述强化玻璃陶瓷的表面K2O质量百分比为3.00%~7.00%,更优选为,所述强化玻璃陶瓷的表面K2O质量百分比为3.50%~7.00%;以氧化物的质量百分比计,所述强化玻璃陶瓷的表面Na2O质量百分比小于等于0.010%,优选为,所述强化玻璃陶瓷的表面Na2O质量百分比小于等于0.005%,更优选为,所述强化玻璃陶瓷的表面Na2O质量百分比小于等于0.002%;所述强化玻璃陶瓷满足:8.00μm≤DOL_K≤20.00μm,优选为,8.50μm≤DOL_K≤18.00μm,更优选为,9.00μm≤DOL_K≤16.00μm,其中,DOL_K为自强化玻璃陶瓷主表面起算的K+扩散深度;所述强化玻璃陶瓷满足:30.00μm≤DOL_Na≤60.00μm,优选为,34.00μm≤DOL_Na≤59.00μm,更优选为,37.00μm≤DOL_Na≤59.00μm,其中,DOL_Na为自强化玻璃陶瓷主表面起算的Na+浓度最大值所在位置的深度;所述强化玻璃陶瓷满足:A=t×DOL_K|CT-AV|×DOL_0t,850≤A≤4000,优选为,850≤A≤3000,更优选为,900≤A≤2000;其中,t为强化玻璃陶瓷的厚度,单位为μm;DOL_K为自强化玻璃陶瓷主表面起算的K+扩散深度,单位为μm;|CT-AV|为强化玻璃陶瓷平均张应力的绝对值,单位为MPa;DOL_0为强化玻璃陶瓷的压缩应力层深度,单位为μm;公式A中,是按上述单位要求将数据代入进行计算,并获得计算结果,单位不参与计算。

全文数据:

权利要求:

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