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申请/专利权人：物元半导体技术(青岛)有限公司
摘要：本发明提供一种line光刻方法。提供一掩模版、提供一晶圆基底，在晶圆基底上沉积硬质掩膜层，并在硬质掩膜层表面形成光刻胶层；进行曝光显影，形成光刻图形：其中，在曝光显影过程中，采用365纳米波长的紫外光照射光刻胶层，对掩模版图形进行曝光显影，调整365纳米波长的紫外光的焦距，以缩小光刻特征尺寸；曝光显影结束后，对晶圆基底进行加热，使光刻胶软化变形，以缩小光刻特征尺寸至所需特征尺寸；进行刻蚀，将光刻图形转移到晶圆基底。通过改进曝光方法，分多部进行曝光，不同曝光步骤中，调节曝光聚焦深度，曝光显影步骤后增加热烘步骤，使光刻胶软化膨胀变形，进而能够缩小图形特征尺寸。
主权项：1.一种I-line光刻方法，其特征在于，包括：S1：提供一掩模版、提供一晶圆基底，在晶圆基底上沉积硬质掩膜层，并在硬质掩膜层表面形成光刻胶层；S2：进行曝光显影，形成光刻图形：其中，在曝光显影过程中，采用365纳米波长的紫外光照射光刻胶层，对掩模版图形进行曝光显影，调整365纳米波长的紫外光的焦距；S3：曝光显影结束后，对晶圆基底进行加热，使光刻胶软化变形，以缩小光刻特征尺寸至所需特征尺寸；S4：进行刻蚀，将光刻图形转移到晶圆基底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 物元半导体技术(青岛)有限公司 I-line光刻方法
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