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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明属于可见光探测器的技术领域，公开了一种Mg掺杂增强过渡金属硫化物基可见光探测器及其制备方法。所述可见光探测器包括从下至上依次设置的Si衬底层、InGaN层、Mg掺杂的过渡金属硫化物层和电极层。Mg掺杂的过渡金属硫化物层部分覆盖InGaN层。本发明还公开了可见光探测器的制备方法。本发明在InGaN表面部分沉积Mg金属层，利用化学气相沉积制备Mg掺杂TMDs层，引入大量的受主能级，实现了TMDs的p型掺杂，调控了载流子浓度。调控后的载流子优化了材料与电极间势垒高度，降低了暗电流，增强了整流比，提升了器件的响应速度，对于实现高性能、高灵敏的可见光通信用光电探测器具有重要意义。
主权项：1.一种Mg掺杂增强过渡金属硫化物基可见光探测器，其特征在于：包括从下至上依次设置的Si衬底层、InGaN层、Mg掺杂的过渡金属硫化物层和电极层；所述电极层为第一电极层和第二电极层；Mg掺杂的过渡金属硫化物层部分覆盖InGaN层，InGaN层上表面形成一台面；所述InGaN层的台面上设有第一电极层，第一电极层与掺杂Mg的过渡金属硫化物层不接触；所述掺杂Mg的过渡金属硫化物层上设有第二电极层；第二电极层部分覆盖掺杂Mg的过渡金属硫化物层；第一电极层为TiAu层，第二电极层为TiAu层；第一电极层中Ti层设置在InGaN层的台面上；Au层设置在Ti层上；第二电极层中Ti层设置在掺杂Mg的过渡金属硫化物层上；Au层设置在Ti层上；所述过渡金属硫化物也称为过渡金属硫族化合物，化学式为MX2，M为钼、钨、铌、铼、钛中一种，X是指硫族元素，具体为硫、硒、碲中一种；Mg掺杂的过渡金属硫化物层中Mg掺杂浓度为2×1018~6×1018cm-3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种Mg掺杂增强过渡金属硫化物基可见光探测器及其制备方法
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