买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：通威太阳能(安徽)有限公司

摘要：本发明涉及一种太阳电池及其制备方法、生产设备。上述太阳电池中第一透明导电层包括复合层以及第一ITO层，复合层设置在第一掺杂微晶硅层和第一ITO层之间，复合层包括依次层叠设置的FTO层、连接层以及AZO层，连接层包括FTO及IWO混合材料层、IWO层、AZO及IWO混合材料层中的至少一层；和或，第二透明导电层包括IGZO层以及第二ITO层，IGZO层设置在第二ITO层和第二掺杂微晶硅层之间。上述太阳电池能够减少透明导电层中铟元素的用量，降低材料成本。

主权项：1.一种太阳电池（2），其特征在于，包括：单晶硅片（100）；设置在单晶硅片（100）第一侧的第一本征非晶硅层（200）、第一掺杂微晶硅层（400）和第一透明导电层（600），所述第一掺杂微晶硅层（400）的掺杂类型与所述单晶硅片（100）的掺杂类型相反；以及设置在单晶硅片（100）第二侧的第二本征非晶硅层（300）、第二掺杂微晶硅层（500）和第二透明导电层（700），所述第二掺杂微晶硅层（500）的掺杂类型与所述单晶硅片（100）的掺杂类型相同；所述第一透明导电层（600）包括复合层（610）以及第一ITO层（620），所述复合层（610）设置在所述第一掺杂微晶硅层（400）和所述第一ITO层（620）之间，所述复合层（610）包括依次层叠设置的FTO层（611）、连接层（612）以及AZO层（613），所述连接层（612）包括FTO及IWO混合材料层（6121）、IWO层（6122）、AZO及IWO混合材料层（6123）中的至少一层；所述第二透明导电层（700）包括IGZO层（710）以及第二ITO层（720），所述IGZO层（710）设置在所述第二ITO层（720）和所述第二掺杂微晶硅层（500）之间；所述第二透明导电层（700）还包括第二VTTO层（730），所述第二VTTO层（730）设置在所述IGZO层（710）和所述第二掺杂微晶硅层（500）之间；所述第二透明导电层（700）还包括第三VTTO层（740），所述第三VTTO层（740）设置在所述第二ITO层（720）和所述IGZO层（710）之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通威太阳能(安徽)有限公司 太阳电池及其制备方法、生产设备