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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明公开了一种分立器件IDSS测试方法,包括步骤：将多块浮动源形成的叠加电源连接到分立器件的源极和漏极之间并对各浮动源进行初始化。对各块浮动源进行FV操作。在各块浮动源的所述FV操作完成并等待一对应的稳定时间后，插入对各浮动源的MV操作；如果对应块的浮动源的MV操作结果异常，则将所有浮动源都关闭，以减少异常状态下的时间并避免热量累积将探针烧毁。本发明能在测试过程中探针进行保护，减少烧针发生频率。
主权项：1.一种分立器件IDSS测试方法，其特征在于，包括如下步骤：将多块浮动源形成的叠加电源连接到分立器件的源极和漏极之间并对各所述浮动源进行初始化，所述叠加电源和所述分立器件的所述源极或漏极之间采用的连接结构包括有探针，所述叠加电源用于提供所述分立器件的IDSS测试所需要的源漏电压；对各块所述浮动源进行FV操作，所述FV操作表示为所述浮动源提供激励电压；在各块所述浮动源的所述FV操作完成并等待一对应的稳定时间后，插入对各所述浮动源的MV操作，所述MV操作表示对所述浮动源的电压进行测量；如果对应块的所述浮动源的所述MV操作结果异常，则将所有所述浮动源都关闭，以减少异常状态下的时间并避免热量累积将所述探针烧毁。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 华虹半导体(无锡)有限公司 分立器件IDSS测试方法
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