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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：一种测量导电膜3厚度的装置10和传感器1，导电膜3位于晶圆2上，装置10包括：第一线圈110被配置为产生磁场，以在晶圆2中激发涡流；第二线圈120设置在第一线圈110的靠近晶圆2的第一侧并且与第一线圈110相隔一段距离；以及第三线圈130设置在第一线圈110的与第一侧相对的第二侧，并且与第一线圈110相隔一段距离；其中第二线圈120的直径和第三线圈130的直径相同并且大于第一线圈110的直径。装置10能够在保证测量精度的同时尽可能地缓解晶圆2的边缘衰减效应，从而有效地平衡两者之间的矛盾。
主权项：一种测量导电膜3的厚度的装置10，所述导电膜3位于晶圆2上，所述装置包括：第一线圈110，被配置为产生磁场，以在所述晶圆2中激发涡流；第二线圈120，设置在所述第一线圈110的靠近所述晶圆2的第一侧并且与所述第一线圈110相隔一段距离；以及第三线圈130，设置在所述第一线圈110的与所述第一侧相对的第二侧，并且与所述第一线圈110相隔一段距离；其中所述第二线圈120的直径D2和所述第三线圈130的直径D3相同并且大于所述第一线圈110的直径D1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 测量导电膜的厚度的装置和传感器
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