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申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
摘要：结构以及用于形成结构的相关方法和系统。结构包括近端触点、远端触点、高k电介质以及近端势垒和远端势垒中的至少一个。在一些实施例中，近端势垒和远端势垒中的至少一个被构造和布置成当第一电场沿第一电场方向施加在近端触点和远端触点之间时，抑制来自高k电介质的普尔‑弗伦克尔发射。
主权项：1.一种结构，包括近端触点、近端势垒、高k电介质和远端触点；-近端触点邻近近端势垒；-近端势垒位于近端触点和高k电介质之间，高k电介质位于近端势垒和远端触点之间；-其中，近端势垒被构造和布置成当第一电场沿第一电场方向施加在近端触点和远端触点之间时，抑制来自高k电介质的普尔-弗伦克尔发射。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 低泄漏电容器及相关结构、方法和系统
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