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申请/专利权人：溢彩芯光科技(宁波)有限公司
摘要：本申请公开了一种全彩QD‑MicroLED器件结构及其制备方法，属于显示器件技术领域，包括通过挡墙互相键合的模块1和模块2；所述模块1包括玻璃基板，所述玻璃基板上固定设置有挡墙1和若干像素单元空腔体；所述像素单元空腔由挡墙围成；部分所述像素单元空腔中填充有量子点转光层；所述量子点转光层包括红色量子点转光层和红色量子点转光层；所述模块2包括底衬电路；所述底衬电路上矩阵设置有与所述像素单元空腔对应的若干蓝光发光芯片；所述蓝光发光芯片之间的空隙设置有与所述挡墙1对应的挡墙2。制备过程不使用阻隔胶和粘合剂，双面低挡墙方案使技术难度大大降低，模块化设计大大提升生产效率。
主权项：1.一种全彩QD-MicroLED器件结构，其特征在于，包括通过挡墙互相键合的模块1和模块2；所述模块1包括玻璃基板，所述玻璃基板上固定设置有挡墙1和若干像素单元空腔体；所述像素单元空腔由挡墙围成；部分所述像素单元空腔中填充有量子点转光层；所述量子点转光层包括红色量子点转光层和红色量子点转光层；所述模块2包括MicroLED底衬电路；所述MicroLED底衬电路上矩阵设置有与所述像素单元空腔对应的若干MicroLED蓝光发光芯片；所述MicroLED蓝光发光芯片之间的空隙设置有与所述挡墙1对应的挡墙2。
全文数据：
权利要求：
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