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申请/专利权人：中国人民解放军空军工程大学
摘要：提出一种等离子体调控超额定状态下高超声速进气道性能的方法：在进气道前体各级布置高频等离子体阵列，通过前体与进气道的唇口的较长流向距离，消除等离子体热阻塞影响；通过等离子体产生的高频冲击波，对前体激波造成持续冲击，强化前体激波的高频振荡，削弱前体激波的强度以及低频不稳定性；在额定工况下，通过削弱前体激波强度间接激发唇口激波高频振荡，减弱唇口激波边界干扰问题所造成的流动分离。本发明既保留了等离子体的响应迅速、不改变表面结构以及调控能力强的特点，又消除了等离子体热气团可能会在进气道通道内形成热阻塞的影响，充分发挥了等离子体的调控激波边界层干扰的能力，能够实现对高超声速进气道性能的改善与提升。
主权项：1.等离子体调控超额定状态下高超声速进气道性能的装置，其特征在于，具体如下：前体为两级或两级以上压缩，保证在设计状态下，多道前体激波交汇点为进气道唇口尖端；进气道通道内宽高比大于2；模型制作材料具有高强度、抗变形和耐磨性等特点；在模型第二级斜面前端的前后，分别开设矩形凹槽用于装配激励器，凹槽沿展向延伸，关于进气道展向中轴线对称；两个凹槽展向边缘相互平行，流向边缘分别在一条直线上；激励器为薄长方体结构；多个U型电极沿激励器短边对称轴均匀布置，U型电极的长度方向与激励器长度方向相平行；每个U型电极的开口连线与激励器短边对称轴重合，U型电极整体埋入激励器内；盖板位于U型电极中间缺口处；盖板长度短于U型电极长度但大于缺口长度，盖板宽度与U型电极宽度相等，用于盖住U型电极中间的缺口；在激励器两端分别设置圆柱孔，自激励器上表面垂直向下加工为通孔，用于装配钨针，高压电线自下向上与钨电极连接，通过耐高温绝缘密封胶对高压导线与钨针进行密封，保证钨针上端与激励器表面齐平；在整个击穿过程中，存在几组击穿电极对，其中第一组的阳极与最后一组的阴极是激励器两端的两个钨针，其余为U型电极；在激励器短边对称轴上布置多组放电激励，每组放电激励指的是相邻两个U型电极相邻的两端；保证激励器表面与电极平整。
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