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申请/专利权人：上海邦芯半导体科技有限公司
摘要：本公开涉及刻蚀处理技术领域，提供刻蚀深度检测装置、方法及反应处理设备，装置包括：探测组件，被配置成输出探测信号并接收探测信号在样品的薄膜层反射的回波信号；处理单元，耦接于探测组件，用于根据回波信号分解得到一组目标频率分量，并基于预设刻蚀时长及每个目标频率分量的目标频率得到对应周期数；根据每个目标频率所对应的目标信号波长及薄膜层的折射率确定单个周期内的薄膜层变化量，并分别结合对应的周期数得到基本刻蚀深度；基于一组基本刻蚀深度的数学期望得到当前刻蚀深度。从而，在浅层刻蚀且刻蚀膜层不完全刻蚀的情况下，能够得到准确的周期数来计算准确刻蚀深度，以对刻蚀过程做出准确的终点检测。
主权项：1.一种刻蚀深度检测装置，其特征在于，应用于反应处理设备，所述反应处理设备包括反应腔室；所述刻蚀深度检测装置包括：探测组件，被配置成向反应腔室内样品载面输出探测信号，并接收所述探测信号在样品的薄膜层反射的回波信号；所述回波信号包括在薄膜层不同表面的反射信号的干涉信号；处理单元，耦接于所述探测组件，用于根据所述回波信号分解得到一组目标频率分量，并基于预设刻蚀时长除以由每个目标频率分量的目标频率对应的周期长度，以得到对应的周期数，构成一组周期数；每个目标频率对应于一个目标信号波长；根据每个目标频率所对应的目标信号波长及薄膜层的折射率确定单个周期内的薄膜层变化量，并根据一组目标频率分量中每个目标频率分量对应的薄膜层变化量乘以所述目标频率分量在所述一组周期数中对应周期数，以得到每个基本刻蚀深度，构成一组基本刻蚀深度；以及，基于一组所述基本刻蚀深度的数学期望得到当前刻蚀深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海邦芯半导体科技有限公司 刻蚀深度检测装置、方法及反应处理设备
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