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申请/专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
摘要：本发明属于光电技术领域，提供了一种CCZTSe吸收层的制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底上多源共蒸发沉积制备CCZTSe前驱体；S2：将所述CCZTSe前驱体置于退火炉中，通入H2Se气体和保护气体，在100℃～400℃用脉冲激光进行交叉线扫描，得到所述CCZTSe吸收层，所述CCZTSe吸收层为铜基多晶半导体材料薄膜。相较于传统的低温工艺，本发明提供的CCZTSe吸收层的制备方法采用脉冲激光辅助生长后，结晶质量变高，大幅度降低退火温度，器件的暗电流密度降低约5μAcm2，外量子效率提升约30％。
主权项：1.一种CCZTSe吸收层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在衬底上多源共蒸发沉积制备CCZTSe前驱体；S2：将所述CCZTSe前驱体置于退火炉中，通入H2Se气体和保护气体，在100℃～400℃用脉冲激光进行交叉线扫描，得到所述CCZTSe吸收层，所述CCZTSe吸收层为铜基多晶半导体材料薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院深圳先进技术研究院 一种CCZTSe吸收层及其制备方法和短波红外探测器及其制备方法
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