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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
摘要：放大电路具备半导体层、第一FET以及第二FET，第一FET具备：第一源电极，高频连接于第一基准电位；第一栅电极，供高频信号输入；第一漏电极；以及第一场板，至少一部分设于第一栅电极与第一漏电极之间的半导体层的上方，第二FET具备：第二源电极，电连接于第一漏电极；第二栅电极，高频连接于第二基准电位；第二漏电极，供高频信号输出；以及第二场板，至少一部分设于第二栅电极与第二漏电极之间的半导体层的上方，第一栅电极的与半导体层对置的面中靠近第一漏电极的端部与第一场板的靠近第一漏电极的端部的第一距离，比第二栅电极的与半导体层对置的面中靠近第二漏电极的端部与第二场板的靠近第二漏电极的端部的第二距离短。
主权项：1.一种放大电路，具备：半导体层；第一FET，具备：第一源电极，设于所述半导体层上，高频连接于第一基准电位；第一栅电极，设于所述半导体层上，供高频信号输入；第一漏电极，设于所述半导体层上；以及第一场板，至少一部分设于所述第一栅电极与所述第一漏电极之间的所述半导体层的上方；以及第二FET，具备：第二源电极，设于所述半导体层上，电连接于所述第一漏电极；第二栅电极，设于所述半导体层上，高频连接于第二基准电位；第二漏电极，设于所述半导体层上，供高频信号输出；以及第二场板，至少一部分设于所述第二栅电极与所述第二漏电极之间的所述半导体层的上方，所述第一栅电极的与所述半导体层对置的面的多个端部中靠近所述第一漏电极的端部与所述第一场板的多个端部中靠近所述第一漏电极的端部的第一距离，比所述第二栅电极的与所述半导体层对置的面的多个端部中靠近所述第二漏电极的端部与所述第二场板的多个端部中靠近所述第二漏电极的端部的第二距离短。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电气工业株式会社 放大电路
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