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申请/专利权人:三星电子株式会社
摘要:公开纳米片、其制造方法、以及包括其的半导体纳米晶体‑聚合物复合物和电子器件。所述纳米片包括:包括第一半导体纳米晶体的二维模板;以及设置在所述二维模板的表面上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳,所述第二半导体纳米晶体具有与所述第一半导体纳米晶体不同的组成,其中所述第二半导体纳米晶体包括III‑V族化合物,并且其中所述纳米片不包括镉。
主权项:1.纳米片,其包括:包括第一半导体纳米晶体的二维模板;以及设置在所述二维模板的表面上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳,所述第二半导体纳米晶体具有与所述第一半导体纳米晶体不同的组成,其中所述第二半导体纳米晶体包括III-V族化合物,其中所述纳米片不包括镉,其中所述二维模板具有大于或等于0.3nm且小于或等于10nm的厚度,其中所述第一半导体纳米晶体包括II-VI族化合物,和其中所述第一壳的厚度大于或等于0.1纳米且小于或等于2纳米。
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权利要求:
百度查询: 三星电子株式会社 纳米片、其制造方法、以及包括其的半导体纳米晶体-聚合物复合物和电子器件
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