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申请/专利权人：北京旭灿半导体科技有限公司;东旭科技集团有限公司
摘要：本申请提供一种氧化镓晶体生长模具以及导模坩埚，包括引流部、成型部以及引流缝；成型部，为圆筒状凹槽，嵌入设置在引流部一端的中部，且中心与引流部的中心重合；引流缝，引流部从外侧边至中心延伸有缝隙形成引流缝，且引流缝贯通成型部；引流缝至少为三条，将成型部和引流部构成的整体均匀等分。本申请技术方案通过在引流部设置成型部，并通过至少三条引流缝贯通引流部以及成型部，且整体均匀等分。在毛细效应的作用下，沿引流缝上升并汇聚于成型部中，利用籽晶与熔体接种、缩颈并缓慢放肩，使得熔体在圆筒状的成型部中生长成圆柱形氧化镓单晶，最后通过对圆柱形的氧化镓单晶按不同晶向需求横切或斜切得到加工生产所需的大尺寸氧化镓单晶衬底。
主权项：1.一种氧化镓晶体生长模具，其特征在于，包括：引流部100；成型部200，为圆筒状凹槽，嵌入设置在所述引流部100一端的中部，且中心与所述引流部100的中心重合；和引流缝300，所述引流部100从外侧边至中心延伸有缝隙形成引流缝300，且所述引流缝300贯通所述成型部200；其中，所述引流缝300至少为三条，将所述成型部200和所述引流部100构成的整体均匀等分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京旭灿半导体科技有限公司 东旭科技集团有限公司 氧化镓晶体生长模具以及导模坩埚
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