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一种高渗透杂化硅膜的制备方法及其应用 

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申请/专利权人:常州大学

摘要:本发明提供了一种高渗透性杂化硅膜的制备方法及其应用,其包括如下步骤:中间层溶胶制备、分离层溶胶制备、中间层的制备、分离层的制备。本发明中通过对于二氧化硅‑二氧化锆中间层的替换使得生成的相应微观结构更加疏松,降低传输阻力,显著提高膜通量,制备方法有着简化的制备步骤,降低了生产时间、人力、原料的消耗。

主权项:1.一种高渗透杂化硅膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤,中间层溶胶制备:将有机硅前驱体、去离子水、酸混合使用溶剂溶解后制备中间层溶胶;分离层溶胶制备:将有机硅前驱体、去离子水、酸混合使用溶剂溶解后制备分离层溶胶;中间层的制备:将中间层溶胶溶解稀释,在支撑体上擦涂完整均匀,晾干后煅烧,重复多次形成中间层;分离层的制备:将分离层溶胶溶解稀释,在支撑体上擦涂完整均匀,晾干后煅烧,重复多次形成分离层;其中,所述中间层溶胶制备中,先将有机硅前驱体完全分散在溶剂中然后快速滴加去离子水和酸的混合物,之后在加热水浴搅拌的条件下持续反应一段时间后即可制得有机硅前驱体溶胶,摩尔比有机硅前驱体:酸=1:0.5~1;所述有机硅前驱体为1,2-二三乙氧基硅基乙烷。

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权利要求:

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