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申请/专利权人：深圳莱福德科技股份有限公司

摘要：本发明提供了一种辅助电源快速启动系统及方法，单向导通反向隔离模块，在MOS晶体管漏极，设置隔离二极管D1；MOS晶体管漏极与隔离二极管D1阳极连接；进行单向导通及反电动势截止隔离；滤波储能模块，通过隔离二极管D1阴极连接储能薄膜电容组C1第一电极；薄膜电容组C1用于滤波储能；辅助电源输出模块，通过隔离二极管D1阴极及储能薄膜电容组C1第一电极并联连接辅助电源第一输入端；快速启停系统控制模块，通过储能薄膜电容组C1第二电极与整流桥第二连接端并联连接；通过储能薄膜电容组C1调整，通过功率因数矫正控制芯片组控制MOS晶体管，快速启停，稳定功率因数。

主权项：1.一种辅助电源快速启动系统，其特征在于，包括：单向导通反向隔离模块，在MOS晶体管漏极，设置隔离二极管D1；MOS晶体管漏极与隔离二极管D1阳极连接；进行单向导通及反电动势截止隔离；滤波储能模块，通过隔离二极管D1阴极连接储能薄膜电容组C1第一电极；薄膜电容组C1用于滤波储能；辅助电源输出模块，通过隔离二极管D1阴极及储能薄膜电容组C1第一电极并联连接辅助电源第一输入端；快速启停系统控制模块，通过储能薄膜电容组C1第二电极与整流桥第二连接端并联连接；通过储能薄膜电容组C1调整，通过功率因数矫正控制芯片组控制MOS晶体管，快速启停，稳定功率因数；快速启停系统控制模块，包括：整流桥端子模块，通过储能薄膜电容组C1第二电极与整流桥第二连接端并联连接；功率因数矫正控制子模块，功率因数矫正控制芯片组第三极连接MOS晶体管栅极，控制MOS晶体管导通或关断，进行辅助电源接入整机系统的快速开关机控制；辅助电源在与主电源转换及快速启机时，通过储能薄膜电容组C1调整，消除大电解放电时长启机迟缓；在辅助电源快速开关机时，通过储能薄膜电容组C1与隔离二极管D1配合，快速启停，减少整机系统电源转换及快速启机恢复时间，稳定功率因数；功率因数矫正控制芯片组第三极为栅极驱动控制信号输出极；功率因数矫正控制芯片组通过栅极驱动控制信号控制MOS晶体管导通或关断，进行辅助电源接入整机系统的快速开关机控制；薄膜电容组C1用于滤波储能，并根据薄膜电容组C1电容值，调整整机恢复时间包括：按照辅助电源最大功率及供电实时输出功率，配置最大功率对应电容值及实时输出对应电容值；根据最大功率对应电容值及实时输出对应电容值，设置薄膜电容组C1；薄膜电容组C1包括：可变电容单元、功率检测单元、变电容自控单元及容值调节单元；功率检测单元检测辅助电源供电实时输出功率；变电容自控单元根据辅助电源供电实时输出功率控制容值调节单元，实时调节可变电容单元的电容值实时匹配实时输出对应电容值；可变电容单元包括n个薄膜电容子单元及电容独立开关器件；电容独立开关器件通过容值调节单元调节信号控制通断，接入或断开薄膜电容子单元；n个薄膜电容子单元的容值不同，通过一个薄膜电容子单元和其他薄膜电容子单元的组合，构建多种组合容值，实时调节可变电容单元的电容值实时匹配实时输出对应电容值。

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