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内部电源结构、半导体器件及内部电源监测方法 

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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

摘要:本公开涉及半导体领域,公开了一种内部电源结构、半导体器件及内部电源监测方法,内部电源结构包括:电源产生电路、内部电源布线、第一开关电路、内部电源监测布线和焊盘。电源产生电路,其输出端与内部电源布线耦接,用于生成内部电压;内部电源布线,通过第一开关电路与内部电源监测布线耦接,用于传输内部电压;内部电源监测布线,耦接焊盘,用于在第一开关电路导通时,向焊盘传输内部电压。这样,在第一开关电路导通的情况下,将内部电压引出至焊盘,以便于监测电源产生电路生成的内部电压。在第一开关电路未导通的情况下,避免内部电压传输至内部电源监测布线,消除内部电源监测布线可能带来的干扰,避免造成内部电压不准确。

主权项:1.一种内部电源结构,其特征在于,包括:电源产生电路、内部电源布线、第一开关电路、内部电源监测布线和焊盘;所述电源产生电路,其输出端与所述内部电源布线耦接,用于生成内部电压;所述内部电源布线,通过所述第一开关电路与所述内部电源监测布线耦接,用于传输所述内部电压;所述内部电源监测布线,耦接所述焊盘,用于在所述第一开关电路导通时,向所述焊盘传输所述内部电压。

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权利要求:

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