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IBC电池的背面结构、IBC电池及其制备方法 

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申请/专利权人:淮安捷泰新能源科技有限公司

摘要:本发明公开了IBC电池的背面结构、IBC电池及其制备。本发明提供的IBC电池的背面结构包括基区硅片、设置于所述基区硅片背面的介质层、层叠设置于所述介质层的钝化层、第一发射极以及第一金属电极、第二发射极以及第二金属电极,以及设置于所述第一发射极与所述第二发射极之间的所述隔离区,使所述第一发射极与第二发射极之间形成包含有钝化层、介质层的隔离。所述隔离区的设计,能够大幅降低电池的漏电值,从而降低热斑发生的风险;能有效提升电池的钝化能力,最终有效的提高太阳能电池的转换效率。

主权项:1.IBC电池的背面结构,其特征在于,所述背面结构包括:基区硅片,所述基区硅片包括背面;介质层,所述介质层设置于所述基区硅片的背面;钝化层,所述钝化层层叠设置于所述介质层;第一发射极以及第一金属电极,所述第一发射极设置于所述介质层与所述钝化层之间,所述第一金属电极穿过钝化层与所述第一发射极接触;第二发射极以及第二金属电极,所述第二发射极形成于所述基区硅片中,并具有与所述第一发射极相反的极性,所述第二金属电极穿过钝化层以及介质层与所述第二发射极接触;其中,所述第二发射极对应的基区硅片表面具有介质层以及钝化层;隔离区,所述隔离区设置于所述第一发射极与所述第二发射极之间,使所述第一发射极与第二发射极之间形成包含有钝化层、介质层的隔离;所述隔离区的介质层的厚度小于所述第一发射极区域所对应的介质层的厚度;以所述隔离区的介质层最低点计,所述隔离区在所述基区硅片上的深度不超过4μm。

全文数据:

权利要求:

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