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申请/专利权人：芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
摘要：本申请公开一种碳化硅外延设备用加热装置及外延设备，该加热装置包括第一加热件和第二加热件，第一加热件；第二加热件呈圆环状，第二加热件套设在第一加热件的外围，且与第一加热件同轴或同心设置，第二加热件的内缘配置有突出部，第一加热件的外缘具有与突出部相匹配的凹陷。本申请中通过设置突出部不仅进一步扩大第二加热件的加热面积，还减小第一加热件和第二加热件之间的间隙，有利于提高加热装置中心区域和外围区域的温度均匀性，进而有效提高外延片浓度和厚度的均匀性。
主权项：1.一种碳化硅外延设备用加热装置，其特征在于，包括：第一加热件；第二加热件，呈圆环状，所述第二加热件套设在所述第一加热件的外围，且与所述第一加热件同轴或同心设置，所述第二加热件的内缘配置有突出部，所述第一加热件的外缘具有与所述突出部相匹配的凹陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司 一种碳化硅外延设备用加热装置及外延设备
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