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申请/专利权人：西北核技术研究所
摘要：本申请公开了一种MeV级伽马灵敏的电子倍增器及其制备方法，涉及伽马探测器技术领域，伽马射线经过准直器进入管状壳体，利用金属阴极和入射的伽马射线进行相互作用产生发射次级电子，金属阴极内表面上固定有衬底，且衬底表面微米尺度范围内构成负电子亲和势材料，以在穿透所述衬底的次级电子的激励下产生能量低、数目倍增的二次电子；通过微通道板将负电子亲和势材料表面出射的二次电子进行级联倍增，最后通过金属阳极收集经微通道板级联倍增后的二次电子以形成输出信号，实现对经准直器准直的待测伽马射线计数率及作用时间信息进行探测；本申请设计的MeV级伽马灵敏的电子倍增器对MeV伽马射线具有高增益、快响应的探测特点。
主权项：1.一种MeV级伽马灵敏的电子倍增器，其特征在于，所述MeV级伽马灵敏的电子倍增器包括：管状壳体、金属阳极、金属阴极、衬底、微通道板和卡簧组；所述卡簧组包括第一卡簧、第二卡簧和第三卡簧；所述管状壳体的管壁方向平行于伽马射线的入射方向，伽马射线经过准直器进入所述管状壳体；所述金属阳极设置在所述管状壳体上远离所述准直器的一侧，所述金属阴极设置在所述管状壳体上靠近所述准直器的一侧，所述管状壳体、所述金属阴极和所述金属阳极组成的空间内部保持高真空环境；所述金属阴极，用于和入射的伽马射线进行相互作用产生发射次级电子；所述衬底被所述第三卡簧夹持在所述金属阴极的内表面上，所述金属阴极的外表面与所述准直器相对应设置；在所述衬底的表面微米尺度范围内构成负电子亲和势材料，所述负电子亲和势材料，用于在穿透所述衬底的次级电子的激励下产生能量低、数目倍增的二次电子；所述微通道板被所述第一卡簧和所述第二卡簧夹持在所述衬底和所述金属阳极之间，所述微通道板，用于将所述负电子亲和势材料表面出射的二次电子进行级联倍增；所述金属阳极，用于收集经所述微通道板级联倍增后的二次电子以形成输出信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北核技术研究所 一种MeV级伽马灵敏的电子倍增器及其制备方法
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